Технология 3D DRAM поможет резко нарастить объём чипов оперативной памяти, но появится она не скоро

Технология-3d-dram-поможет-резко-нарастить-объём-чипов-оперативной-памяти,-но-появится-она-не-скоро

15.09.2021 [10:23],  Геннадий Детинич К сегодняшнему дню ёмкость чипов оперативной памяти достигла впечатляющих значений, но для аналитики и задач ИИ памяти нужно всё больше и больше. Обычная планарная компоновка ячеек DRAM

The post Технология 3D DRAM поможет резко нарастить объём чипов оперативной памяти, но появится она не скоро appeared first on Good Games.

Технология-3d-dram-поможет-резко-нарастить-объём-чипов-оперативной-памяти,-но-появится-она-не-скоро

К сегодняшнему дню ёмкость чипов оперативной памяти достигла впечатляющих значений, но для аналитики и задач ИИ памяти нужно всё больше и больше. Обычная планарная компоновка ячеек DRAM не может спасти ситуацию — техпроцесс не успевает за ростом требований к ёмкости. Выходом может стать вертикальное расположение ячеек DRAM подобно 3D NAND.

Слева обычные планарные массивы DRAM, а справа — вертикальное расположение ячеек. Источник изображения: Monolithic3D

Слева обычные планарные массивы DRAM, а справа — вертикальное расположение ячеек (длинные серые трубки — это конденсаторы). Источник изображения: Monolithic3D

Утверждается, что память с перевёрнутыми ячейками DRAM (flipping cells) разрабатывают отдельные производители оперативной памяти. Правда, никто из них не ответил на вопрос источника о работе над такой технологией. В то же время широкое распространение 3D NAND позволяет надеяться, что производители достаточно глубоко погрузились в технологию многослойного изготовления микросхем памяти, чтобы перенести опыт на выпуск многослойной монолитной DRAM.

Безусловно, выпуск многослойной NAND и многослойной DRAM — это разные вещи. Ячейка оперативной памяти хранит данные (заряд) в относительно большом конденсаторе, которым управляет один транзистор. Чем тоньше техпроцесс, тем длиннее конденсатор. Если ячейки DRAM положить на бок (расположить вертикально), то конденсаторы уйдут далеко в сторону. Выигрыш от такого расположения будет только в случае изготовления множества слоёв.

Сейчас производители DRAM всё ещё продолжают увеличивать плотность размещения ячеек памяти за счёт уменьшения технологических норм производства. Планарная технология продержится ещё какое-то время, в том числе за счёт перехода на сканеры EUV, но этот ресурс будет быстро исчерпан, а потребность в памяти — нет. Поэтому разумно ожидать роста объёмов DRAM за счёт вертикального расположения ячеек.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

The post Технология 3D DRAM поможет резко нарастить объём чипов оперативной памяти, но появится она не скоро appeared first on Good Games.

Оцените автора

Технология 3D DRAM поможет резко нарастить объём чипов оперативной памяти, но появится она не скоро

Технология-3d-dram-поможет-резко-нарастить-объём-чипов-оперативной-памяти,-но-появится-она-не-скоро

15.09.2021 [10:23],  Геннадий Детинич К сегодняшнему дню ёмкость чипов оперативной памяти достигла впечатляющих значений, но для аналитики и задач ИИ памяти нужно всё больше и больше. Обычная планарная компоновка ячеек DRAM

The post Технология 3D DRAM поможет резко нарастить объём чипов оперативной памяти, но появится она не скоро appeared first on Good Games.

Технология-3d-dram-поможет-резко-нарастить-объём-чипов-оперативной-памяти,-но-появится-она-не-скоро

К сегодняшнему дню ёмкость чипов оперативной памяти достигла впечатляющих значений, но для аналитики и задач ИИ памяти нужно всё больше и больше. Обычная планарная компоновка ячеек DRAM не может спасти ситуацию — техпроцесс не успевает за ростом требований к ёмкости. Выходом может стать вертикальное расположение ячеек DRAM подобно 3D NAND.

Слева обычные планарные массивы DRAM, а справа — вертикальное расположение ячеек. Источник изображения: Monolithic3D

Слева обычные планарные массивы DRAM, а справа — вертикальное расположение ячеек (длинные серые трубки — это конденсаторы). Источник изображения: Monolithic3D

Утверждается, что память с перевёрнутыми ячейками DRAM (flipping cells) разрабатывают отдельные производители оперативной памяти. Правда, никто из них не ответил на вопрос источника о работе над такой технологией. В то же время широкое распространение 3D NAND позволяет надеяться, что производители достаточно глубоко погрузились в технологию многослойного изготовления микросхем памяти, чтобы перенести опыт на выпуск многослойной монолитной DRAM.

Безусловно, выпуск многослойной NAND и многослойной DRAM — это разные вещи. Ячейка оперативной памяти хранит данные (заряд) в относительно большом конденсаторе, которым управляет один транзистор. Чем тоньше техпроцесс, тем длиннее конденсатор. Если ячейки DRAM положить на бок (расположить вертикально), то конденсаторы уйдут далеко в сторону. Выигрыш от такого расположения будет только в случае изготовления множества слоёв.

Сейчас производители DRAM всё ещё продолжают увеличивать плотность размещения ячеек памяти за счёт уменьшения технологических норм производства. Планарная технология продержится ещё какое-то время, в том числе за счёт перехода на сканеры EUV, но этот ресурс будет быстро исчерпан, а потребность в памяти — нет. Поэтому разумно ожидать роста объёмов DRAM за счёт вертикального расположения ячеек.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

The post Технология 3D DRAM поможет резко нарастить объём чипов оперативной памяти, но появится она не скоро appeared first on Good Games.

Оцените автора